Innenleuchte frisieren ;)

[_gustav_]

Hi,

habe vor meiner funzligen Innenleuchte etwas auf die Sprünge zu helfen bzw zwei 10 Watt Halogenlampen anstelle der originalen im Dachhimmel zu betreiben. Meint ihr (zb cbffm), dass die 13 Watt Mehrbelastung (7 Watt Standard) dem System oder den Stromkäbelchen irgendwelche Probleme bereiten können?

Danke schonmal für die Antworten...

[red-peter]

Ich habe LEDs drin. Die sind vom Stom her deutlich drunter und wesentlich heller obwohl rot.

8-) Peter.

[cbffm]

Der Treiber kann bis zu A, d.h. bei 12 V maximal 72 W :-D

[Onkel_Oli]

Quote:

Am 16.11.2002 um 09:59 Uhr hat cbffm geschrieben: Der Treiber kann bis zu A, d.h. bei 12 V maximal 72 W :-D

Das Transistörchen im Steuergerät auch? :roll:

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[cbffm]

Treiber=Transistörchen
kann 6 A, das ging irgendwie verschluckt.
Is kein Transistörchen, sondern ein ausgewachsener MOSFET

[wulars]

was auch immer jetzt ein MOSFET ist...




Lars, der nur Mos Def kennt :)
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drink more

[cbffm]

MOS-Feldeffekttransistor(MOS-FET)

Die Bezeichnung MOS bedeutet Metal-Oxide-Semicondutor, was soviel bedeutet, wie Metall-Oxid-Halbleiterbauteil.
Auf dem Bild(links) ist die Grundstruktur eines MOS-FET(N-Kanal-Anreicherungstyp) dargestellt.
Dieser Feldeffekttransistor besteht aus einem p-leitenden Kristall, dem Substrat. In das Substrat sind zwei n-leitende Inseln eindotiert. Der Kristall ist mit Siliziumdioxid(SiO2) abgedeckt(Isolierschicht). Die n-leitenden Inseln sind aber noch freigelegt und über Kontakte nach außen geführt(S und D). Auf dem Siliziumdioxid ist eine Aluminiumschicht(Al) als Gateelektrode aufgedampft.



Der MOS-FET befindet sich immer im Sperr-Zustand(deshalb selbstsperrend), wenn keine positive Spannung zwischen Gate- und Source-Anschluß anliegt.
Wird zwischen Gate(Substrat) und Source eine positive Spannung UGS angelegt, dann entsteht im Substrat ein elektrisches Feld. Die Elektronen im p-leitenden Substrat(viele Löcher, sehr wenige Elektronen) werden vom positiven Gate-Anschluß angezogen. Sie wandern bis unter das Siliziumdioxid(Isolierschicht).
Die Löcher wandern in entgegengesetzter Richtung. Die Zone zwischen den n-leitenden Inseln enthält überwiegend Elektronen als freie Ladungsträger. Zwischen Source- und Drain-Anschluß befindet sich nun eine n-leitende Brücke(siehe Bild).
Die Leitfähigkeit dieser Brücke lässt sich durch die Gatespannung UGS steuern.
Die Vergrößerung der positiven Gatespannung führt zu einer Anreicherung der Brücke mit Elektronen. Die Brücke wird leitfähiger. Die Verringerung der positiven Gatespannung führt zu einer Verarmung der Brücke mit Elektronen. Die Brücke wird weniger leitfähig.
Dadurch das die Siliziumdioxid-Schicht isolierend zwischen Aluminium und Substrat wirkt, fließt kein Gatestrom IG. Zur Steuerung wird nur eine Gatespannung UGS benötigt.
Die Steuerung des Stromes ID durch den MOS-FET erfolgt leistungslos.





jetzt alles klar, Lars?

[ Diese Nachricht wurde editiert von cbffm am 16.11.2002 um 13:44 Uhr ]

[Cirimyon]

Also der Vorteil gegenüber anderen Transistoren liegt darin, dass der MOSFET im Betrieb nicht warm wird. Richtig?

Ciao Ciri :)

[cbffm]

das wär ja schön.
Die Antwort stand schon oben:
Die Steuerung des Stromes ID durch den MOS-FET erfolgt leistungslos.

man kann praktisch leistungslos große Lasten steuern

[Mola]

@smartie-man

Lass das!!!

Ich war auch mal so schlau und hab andere leuchten reingetan.

Der Mosfet der angeblich 72 Watt liefern soll ist dann bei auch etwa 20Watt so halb übern Jordan gegangen(Unterbricht nicht mehr vollständig). Hab jetzt auch LEDs drin, die sind heller und arbeiten auch mit kaputtem Mosfet noch so wie es sein soll. Außerdem hab ich den Nebeneffekt das der Schalter ständig leuchtet. :-D
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[cbffm]

Die MOSFETs gehen nicht durch die hohe Leistung kaputt sondern meist durch Kurzschlüsse bei den Basteleien.

[Mola]

Das ist sicher richtig.
In meinem Fall wars aber kein Kurzschluss. Der Mosfet ging ein oder 2 Wochen nachdem ich die andere Lampe reingesetzt hatte kaputt.
Ganz abgesehen davon bin ich sicher keinen Kurzschluss verursacht zu haben, weder beim Einbau noch danach.
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[wulars]

Quote:

Am 16.11.2002 um 13:43 Uhr hat cbffm geschrieben: jetzt alles klar, Lars?

Na klar :-D
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drink more

[cbffm]

@mola: wer weiß, was Du alles angeschlossen hast.
Soll sogar schon Smartfahrer gegeben haben, die da Relais angeschlossen haben.

Laut Datenblatt kann der MOSFET sogar 10 A
Bei der Gehäuseform liegt die Leistung aber bei 35 W. Da muß er dann aber besser gekühlt werden.

[Mola]

Jetzt komm mehr der Sache schon näher. Vielleicht hat ich ja die 35W. So genau weiß ich das auch nicht mehr...

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